介绍三星电机产业用超高容量MLCC (1206 inch, 220㎌ & 1210 inch, 330㎌)

  • Industrial
  • 2025.09.17

摘要​

AI Server和数据中心需要高性能计算和高速通信来处理和分析大量数据。此时会采用CPU,GPU,ASIC等多个高性能IC,发热量增加的同时,执行高运算时也会发生很大的电流变化。超高容量MLCC适用于高频噪声的去耦和功率峰值应对。介绍适用于AI Server的各种应用的三星电机超高容量MLCC。​

 

① CPO Switch (Co-Packaged Optics Switch)搭载的高温/超高容量MLCC​

CPO Switch把现有的光学部件和Network Switch芯片整合为一个封装,可在数据中心和高性能计算环境下实现超高速数据传输。此时,因附加光学引擎导致的温度上升及功耗增加,需要超高容量,X7以上的高温MLCC。​

(三星电机推荐 CL32X337MSVN4S#, CL31X227MRKNNW#, CL32Z227MSVN4S#, CL31Z107MRKN4N#)

 


 

② 针对有厚度限制的PCIe Card/OAM Socket的220㎌超高容量MLCC​

PCIe Card (Peripheral Component Interconnect Express Card)支持高速数据传输,可快速传输大量数据。它为显卡、存储设备、网络适配器和AI accelerator等多种组件提供高功率/高速数据处理,这些组件需要大量高容量MLCC来确保电源稳定性。

如Figure2所示,在AI Server中插入多数PCIe卡时,考虑到搭载空间的限制和发热,建议使用Thickness 2.0mm以下的超高容量MLCC, CL31X227MRKNNW#, CL31A227MQKNNW#

 

OAM Socket (Open Compute Project Accelerator Module Socket)是用于用于AI/ML计算的GPU或定制ASIC等高性能模块的接口,在Accelerator Module上使用定制ASIC时,可以通过优化性能/功耗比(Performance per Watt)及消除不必要的电路,实现Memory近距离配置。但定制ASIC内部有大量的switch电路用于快速运算,它们会产生剧烈的Transient Current。为了应对这种电流的急剧变化,需要高容量MLCC来消除高频噪音并稳定电压。​

如Figure3所示,OAM PCB Land Side可搭载大量超高容量MLCC (1206 inch/1.9t, 220㎌, 4Vdc, X6S) CL31X227MRKNNW#, (1206 inch/1.9t, 220㎌, 6.3Vdc, X5R) CL31A227MQKNNW# , 有助于提高空间效率。

 

Samsung 100㎌ 220㎌ 330㎌
1206 inch 1.9t
1210 inch 2.8t

三星电机配合AI Server和数据中心要求的高容量MLCC需求,正在量产具有高品质可靠性及稳定电气性能的超容量MLCC (1206~1210 inch, 100~330㎌) 。​

 

CL31X227MRKNNW#, CL31A227MQKNNW#, CL31Z107MRKN4N#, CL32X337MSVN4S#, CL32Z227MSVN4S# 제품의 part number, size, max thickness, related voltage, tcc, capacitance, data sheet, sample에 대한 정보를 제공합니다.
Part Number​ Size
(inch/mm)
Max
Thickness​
Related
Voltage
TCC​ Capacitance Data
Sheet
Sample
CL31X227MRKNNW#​ 1206/3216​ 1.9mm​ 4.0Vdc​ X6S​ 220㎌​ Available​
CL31A227MQKNNW#​ 1206/3216​ 1.9mm​ 6.3Vdc​ X5R 220㎌​ Available​
CL31Z107MRKN4N#​ 1206/3216​ 1.9mm​ 4.0Vdc​ X7T 100㎌​ Available​
CL32X337MSVN4S#​ 1210/3225​ 2.8mm 2.5Vdc​ X6S​ 330㎌​ Available​
CL32Z227MSVN4S# 1210/3225​ 2.8mm 2.5Vdc​ X7T 220㎌​ Available​

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