1. 실리콘 커패시터의 장점
초슬림(Ultra-Thin) : 실리콘 커패시터는 반도체 기술을 이용하여 실리콘을 미세하게 파내어 표면적을 확장함으로써, 얇으면서도 높은 용량을 구현하는 차세대 커패시터 입니다. 이러한 박형 기술은 Substrate 내부(Embedded) 나 Package 모듈과 같이 공간과 높이 제약이 극심한 환경에서도 최적의 설계 자유도를 제공합니다.
낮은 기생 인덕턴스(Low ESL) : 회로의 잡음이나 지연을 일으키는 "기생 인덕턴스"가 1pH 이하로 매우 낮습니다. 기생 인덕턴스는 전류가 급격히 흐를 때 발생하는 노이즈로, 고주파 회로의 성능을 저하시킬 수 있습니다. 실리콘 커패시터는 Low ESL 특성을 통해 AI서버와 자율주행과 같은 고속 통신 환경에서 노이즈를 최소화하여 신호를 정확하고 빠르게 전달합니다.
고신뢰성/고온 안전성 : 250℃ 이상의 극한 환경에서도 안정적인 성능을 유지합니다. 발열이 심한 AI서버나 극한 환경의 항공 우주, 자동차 분야에서도 용량 변화가 거의 없어 안심하고 사용할 수 있습니다.
2. 실리콘 커패시터 응용분야
실리콘 커패시터는 AI 서버, 자율 주행차, 광통신 등 초슬림, 고성능, 고신뢰성이 요구되는 아래와 같은 분야에서 주로 사용됩니다.
삼성전기는 고성능 반도체 패키지 및 AI 서버에 최적화한 제품 4종을 현재 양산 중이며, 프로모션용 샘플 라인업 5종 포함하여 총 9종의 실리콘 커패시터 라인업을 보유하고 있습니다.
제품 라인업
| Part Number | Status | Features | LW (mm) |
Thickness | Capacitance | Power Rails |
Rated Voltage |
Breakdown Voltage |
Package | Pad Size |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCBCAP305L95EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 1.26x1.03 | 68um | 3000nF | 4 | 1.2V | 3.7V | LSC | 60um |
| SCBCAP105L95AGNNNT | Sample available | DC decoupling | 1.26x1.03 | 68um | 1000nF | 4 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCBCAP514L95AGNNNT | MP | DC decoupling | 1.26x1.03 | 70um | 512nF | 4 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCBC5P254L95AGNNNT | MP | DC decoupling | 1.26x0.51 | 70um | 256nF | 2 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCG98P105M86AGNNWT | MP | DC decoupling | 0.96x0.88 | 60um | 1050nF | 2 | 1.35V | 4V | LSC | 55um |
| SCHVSP107MH1AGB9WT | MP | DC decoupling | 11.01x8.35 | 750um | 103950nF | 198 | 1.35V | 4V | DSC | 55um |
| SCRLLC885MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 2.00x2.00 | 738um | 8800nF | 2 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
| SCRNKC166MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 4.06x2.00 | 738um | 17600nF | 4 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
| SCRNNC326MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 4.02x4.02 | 738um | 35000nF | 4 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
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