シリコンキャパシタ ラインアップ紹介

  • Industrial
  • 2026.06.17

1. シリコンキャパシタのメリット

超薄型(Ultra-Thin): シリコンキャパシタは、半導体技術によりシリコンを微細に加工して表面積を拡大し、薄型でありながら高い容量を実現する次世代キャパシタです。この薄型技術により、Substrate 内部(Embedded)や Package モジュールなど、空間・高さ制約が極めて厳しい環境でも最適な設計自由度を提供します。

 


低い寄生インダクタンス(Low ESL):回路のノイズや遅延を引き起こす「寄生インダクタンス」が 1pH 以下と非常に低いことが特長です。寄生インダクタンスは電流が急峻に流される際に発生する Noise で、高周波回路の性能を低下させる要因ともなります。シリコンキャパシタは Low ESL 特性により、特に AIサーバーや自動運転などの高速通信環境においてノイズを低減し、信号を正確かつ高速に伝送します。

 

高信頼性/高温安全性:250℃ 以上の極限環境でも安定した性能を提供します。発熱の大きい AIサーバーや、航空宇宙・自動車などの過酷環境でも容量変化がほとんどないため、安心して適用可能です。

2. シリコンキャパシタ 応用分野

AIサーバー、自動運転車、光通信など、超薄型・高性能・高信頼性が求められる分野で主に使用されます。

AI & Cloud Server 高性能 AIサーバーチップセットの性能最大化
Mobile & Wearable 超薄型スマートフォン、ARグラスなど次世代ウェアラブル
Automotive & Aerospace 自動運転システム、および高信頼性が求められる航空宇宙・医療機器

 

サムスン電機は、高性能半導体パッケージおよび AIサーバーに最適化した製品4種を現在量産中であり、プロモーション用サンプルラインアップ5種を含め、合計9種のラインアップを保有しています。

Product Lineup

Part Number Status Features LW
(mm)
Thickness Capacitance Power
Rails
Rated
Voltage
Breakdown
Voltage
Package Pad
Size
SCBCAP305L95EGNNWT Sample available DC decoupling 1.26x1.03 68um 3000nF 4 1.2V 3.7V LSC 60um
SCBCAP105L95AGNNNT Sample available DC decoupling 1.26x1.03 68um 1000nF 4 1.35V 4V LSC 60um
SCBCAP514L95AGNNNT MP DC decoupling 1.26x1.03 70um 512nF 4 1.35V 4V LSC 60um
SCBC5P254L95AGNNNT MP DC decoupling 1.26x0.51 70um 256nF 2 1.35V 4V LSC 60um
SCG98P105M86AGNNWT MP DC decoupling 0.96x0.88 60um 1050nF 2 1.35V 4V LSC 55um
SCHVSP107MH1AGB9WT MP DC decoupling 11.01x8.35 750um 103950nF 198 1.35V 4V DSC 55um
SCRLLC885MG5EGNNWT Sample available DC decoupling 2.00x2.00 738um 8800nF 2 1.2V 4V Embedded 200um
SCRNKC166MG5EGNNWT Sample available DC decoupling 4.06x2.00 738um 17600nF 4 1.2V 4V Embedded 200um
SCRNNC326MG5EGNNWT Sample available DC decoupling 4.02x4.02 738um 35000nF 4 1.2V 4V Embedded 200um

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