1. シリコンキャパシタのメリット
超薄型(Ultra-Thin): シリコンキャパシタは、半導体技術によりシリコンを微細に加工して表面積を拡大し、薄型でありながら高い容量を実現する次世代キャパシタです。この薄型技術により、Substrate 内部(Embedded)や Package モジュールなど、空間・高さ制約が極めて厳しい環境でも最適な設計自由度を提供します。
低い寄生インダクタンス(Low ESL):回路のノイズや遅延を引き起こす「寄生インダクタンス」が 1pH 以下と非常に低いことが特長です。寄生インダクタンスは電流が急峻に流される際に発生する Noise で、高周波回路の性能を低下させる要因ともなります。シリコンキャパシタは Low ESL 特性により、特に AIサーバーや自動運転などの高速通信環境においてノイズを低減し、信号を正確かつ高速に伝送します。
高信頼性/高温安全性:250℃ 以上の極限環境でも安定した性能を提供します。発熱の大きい AIサーバーや、航空宇宙・自動車などの過酷環境でも容量変化がほとんどないため、安心して適用可能です。
2. シリコンキャパシタ 応用分野
AIサーバー、自動運転車、光通信など、超薄型・高性能・高信頼性が求められる分野で主に使用されます。
サムスン電機は、高性能半導体パッケージおよび AIサーバーに最適化した製品4種を現在量産中であり、プロモーション用サンプルラインアップ5種を含め、合計9種のラインアップを保有しています。
Product Lineup
| Part Number | Status | Features | LW (mm) |
Thickness | Capacitance | Power Rails |
Rated Voltage |
Breakdown Voltage |
Package | Pad Size |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCBCAP305L95EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 1.26x1.03 | 68um | 3000nF | 4 | 1.2V | 3.7V | LSC | 60um |
| SCBCAP105L95AGNNNT | Sample available | DC decoupling | 1.26x1.03 | 68um | 1000nF | 4 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCBCAP514L95AGNNNT | MP | DC decoupling | 1.26x1.03 | 70um | 512nF | 4 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCBC5P254L95AGNNNT | MP | DC decoupling | 1.26x0.51 | 70um | 256nF | 2 | 1.35V | 4V | LSC | 60um |
| SCG98P105M86AGNNWT | MP | DC decoupling | 0.96x0.88 | 60um | 1050nF | 2 | 1.35V | 4V | LSC | 55um |
| SCHVSP107MH1AGB9WT | MP | DC decoupling | 11.01x8.35 | 750um | 103950nF | 198 | 1.35V | 4V | DSC | 55um |
| SCRLLC885MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 2.00x2.00 | 738um | 8800nF | 2 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
| SCRNKC166MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 4.06x2.00 | 738um | 17600nF | 4 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
| SCRNNC326MG5EGNNWT | Sample available | DC decoupling | 4.02x4.02 | 738um | 35000nF | 4 | 1.2V | 4V | Embedded | 200um |
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