硅电容产品Lineup介绍

1. 硅电容的优势

超薄（Ultra-Thin）：硅电容是利用半导体技术对硅进行微细蚀刻，以扩大表面积，从而实现轻薄且高容量的新一代电容器。凭借这种薄型化技术，即使是在 Substrate 内部（Embedded）或 Package 模组等空间与高度限制极其严苛的环境中，也能够提供最佳的设计自由度。

低寄生电感（Low ESL）：会引发电路噪声或延迟的"寄生电感"低于 1pH，数值极低。寄生电感是电流急剧流动时产生的 Noise，会降低高频电路的性能。硅电容凭借 Low ESL 特性，尤其在 AI 服务器和自动驾驶等高速通信环境中，可有效降低噪声，实现信号的准确、快速传输。

高可靠性／高温安全性：即使在 250℃ 以上的极端环境下，也能提供稳定性能。即便是在发热严重的 AI 服务器，或航空航天、汽车等极端环境中，容量变化也极小，因此可以安心应用。

2. 硅电容应用领域

硅电容主要应用于 AI 服务器、自动驾驶汽车、光通信等对超薄、高性能、高可靠性有较高要求的领域。

AI & Cloud Server 最大化高性能 AI 服务器芯片组性能

Mobile & Wearable 超薄智能手机及 AR 眼镜等下一代可穿戴设备

Automotive & Aerospace 自动驾驶系统，以及对可靠性要求极高的航空航天、医疗设备

三星电机目前正在量产 4 种针对高性能半导体封装及 AI 服务器优化的产品，并拥有包括 5 种推广用样品阵容在内，共计 9 种产品阵容。

Product Lineup

Part Number	Status	Features	LW (mm)	Thickness	Capacitance	Power Rails	Rated Voltage	Breakdown Voltage	Package	Pad Size
SCBCAP305L95EGNNWT	Sample available	DC decoupling	1.26x1.03	68um	3000nF	4	1.2V	3.7V	LSC	60um
SCBCAP105L95AGNNNT	Sample available	DC decoupling	1.26x1.03	68um	1000nF	4	1.35V	4V	LSC	60um
SCBCAP514L95AGNNNT	MP	DC decoupling	1.26x1.03	70um	512nF	4	1.35V	4V	LSC	60um
SCBC5P254L95AGNNNT	MP	DC decoupling	1.26x0.51	70um	256nF	2	1.35V	4V	LSC	60um
SCG98P105M86AGNNWT	MP	DC decoupling	0.96x0.88	60um	1050nF	2	1.35V	4V	LSC	55um
SCHVSP107MH1AGB9WT	MP	DC decoupling	11.01x8.35	750um	103950nF	198	1.35V	4V	DSC	55um
SCRLLC885MG5EGNNWT	Sample available	DC decoupling	2.00x2.00	738um	8800nF	2	1.2V	4V	Embedded	200um
SCRNKC166MG5EGNNWT	Sample available	DC decoupling	4.06x2.00	738um	17600nF	4	1.2V	4V	Embedded	200um
SCRNNC326MG5EGNNWT	Sample available	DC decoupling	4.02x4.02	738um	35000nF	4	1.2V	4V	Embedded	200um

包括样品申请在内的其他咨询请点击这里留言